ADL8107
新規設計に推奨GaAs、pHEMT、MMIC、低ノイズ・アンプ、6GHz~18GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$55.62
製品の詳細
- 正側(供給)単電源(自己バイアス)
- ゲイン:7GHz~16GHzで24dB(代表値)
- OIP3:7GHz~16GHzで29dBm(代表値)
- ノイズ指数:7GHz~16GHzで1.3dB(代表値)
- 8ピン、2mm × 2mm、LFCSP(データシートの外形寸法のセクションを参照)
ADL8107は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、モノリシック・マイクロ波IC(MMIC)、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、低ノイズ広帯域高直線性アンプで、動作範囲は6GHz~18GHzです。
ADL8107は、24dBのゲイン(7GHz~16GHzでの代表値)、1.3dBのノイズ指数(7GHz~16GHzでの代表値)、1dB圧縮ポイントで18.5dBmの出力電力(OP1dB、7GHz~16GHzでの代表値)、29dBmの出力3次インターセプト(OIP3、7GHz~16GHzでの代表値)を提供し、5Vドレイン電源からわずか90mAしか必要としません。この低ノイズ・アンプは30.5dBmの高出力2次インターセプト(OIP2、7GHz~16GHzでの代表値)を備え、防衛および試験用計測器アプリケーションに適しています。
また、ADL8107の入出力は内部で50Ωに整合されています。RFINおよびRFOUTピンは内部でACカップリングされ、バイアス・インダクタも内蔵されているため、表面実装技術(SMT)ベースの高密度アプリケーションに最適です。
ADL8107は、RoHS準拠の2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージに収められています。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
製品選択ガイド 1
Analog Dialogue 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADL8107ACPZN | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 | ||
ADL8107ACPZN-R7 | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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11 22, 2024 - 24_0237 External RBIAS Resistor (R2) Revision for ADL8107 |
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ADL8107ACPZN | 製造中 | |
ADL8107ACPZN-R7 | 製造中 | |
9 28, 2023 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products |
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ADL8107ACPZN | 製造中 | |
ADL8107ACPZN-R7 | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。