AD8210

量产

高压双向电流检测监控器

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产品详情

±4000 V人体模型(HBM) ESD
保护高共模电压范围：
工作范围：-2 V 至 +65 V
耐压范围：-5 V 至 +68 V
缓冲输出电压
5 mA输出驱动能力
宽工作温度范围：
−40至+125
比率半量程输出失调
出色的交流与直流性能
失调漂移：1μV/°C （典型值）
增益漂移：10 ppm/°C（典型值）
共模抑制比：120 dB（典型值，DC）
100kHz共模抑制比：80dB（典型值）
采用8引脚SOIC封装

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
AD8210-CHIPS-WP	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
AD8210WYRZ	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
AD8210WYRZ-R7	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
AD8210WYRZ-RL	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
AD8210YRZ	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
AD8210YRZ-REEL	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
AD8210YRZ-REEL7	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

11月 19, 2018 - 18_0092 AD8210 Die Revision and Data Sheet Change
		PCN18_0092_Form Material_Report Qualification Results Summary Delta Qualification Matrix Revised Datasheet Specification
AD8210WYRZ	量产
AD8210WYRZ-R7	量产
AD8210WYRZ-RL	量产
AD8210YRZ	量产
AD8210YRZ-REEL	量产
AD8210YRZ-REEL7	量产
7月 20, 2012 - 12_0105 Halogen Free Material Change for Select SOIC Narrow and Wide Body Products Assembled at Amkor
		PCN12_0105_Form Material_Report Qualification Report Summary
AD8210WYRZ	量产
AD8210WYRZ-R7	量产
AD8210WYRZ-RL	量产
AD8210YRZ	量产
AD8210YRZ-REEL	量产
AD8210YRZ-REEL7	量产
8月 19, 2009 - 07_0024 Package Material Changes for SOT23, MiniSO, MQFP, PDIP, PLCC, SOIC (narrow and wide body), SSOP, TSSOP and TSSOP exposed pad
		Material_Report Material_Report Parts List PCN07_0024_Form Qual Data
AD8210YRZ	量产
AD8210YRZ-REEL	量产
AD8210YRZ-REEL7	量产