HMC8038
HMC8038
新規設計に推奨高絶縁、シリコンSPDT、無反射型スイッチ、0.1GHz~6.0GHz
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
Viewing:
製品の詳細
- 無反射型、50Ω設計
- 高絶縁:60dB(代表値)
- 低挿入損失:0.8dB(代表値)
- 高パワー対応
34dBmスルーパス
29dBm終端パス - 高直線性
0.1dB圧縮(P0.1dB):35dBm(代表値)
入力3次インターセプト(IP3):60dBm(代表値)
- ESD定格値
4 kV人体モデル(HBM)、Class 3A
1.25 kVデバイス帯電モデル(CDM) - 正の単電源
3.3V~5V
1.8V互換制御
詳細はデータシートをご参照ください。
HMC8038は、リードレス表面実装パッケージを採用した高絶縁、無反射型、0.1GHz~6.0GHz、シリコン、単極双投(SPDT)スイッチです。セルラのインフラストラクチャ向けアプリケーションに最適で、最大62dBの絶縁(最大4.0GHz)、0.8dBの低挿入損失(最大4.0GHz)、60dBmの入力3次インターセプトを実現します。パワー処理は最大6.0GHzまで優れた性能を発揮し、0.1dB圧縮ポイント入力パワー(P0.1dB)は35dBm(VDD = 5V)です。オンチップ回路は、3.3V~5Vの正の単電源電圧のほか、非常に低いDC電流で0V~1.8V/3.3V/5.0Vの単一の正電圧制御で動作します。イネーブル入力(EN)をロジック・ハイに設定することにより、スイッチは全オフ状態となり、RFCは反射型になります。
HMC8038は、RFインターフェースをはじめ、すべてのデバイス・ピンにESD保護があり、4kVのHMBと1.25kVのCDMに対する耐性があります。HMC8038は150nsという非常に高速のスイッチングが可能で、RFセトリング時間もわずか170nsです。デバイスは、RoHS準拠のコンパクトな4×4mm LFCSPパッケージを採用しています。
アプリケーション- セルラ/4Gインフラストラクチャ
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- 自動車用テレマティックス
- 移動無線
- 試験装置
ドキュメント
データシート 2
技術記事 1
製品選択ガイド 1
Analog Dialogue 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC8038LP4CE | 16-Lead LFCSP (4mm x 4mm x 0.9mm w/ EP) | ||
HMC8038LP4CETR | 16-Lead LFCSP (4mm x 4mm x 0.9mm w/ EP) | ||
HMC8038WLP4CE | 16-Lead LFCSP (4mm x 4mm x 0.85mm w/ EP) | ||
HMC8038WLP4CETR | 16-Lead LFCSP (4mm x 4mm x 0.85mm w/ EP) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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