ADRF5549
ADRF5549
新規設計に推奨レシーバー・フロント・エンド、デュアル・チャンネル、1.8GHz~2.8GHz
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$13.43
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製品の詳細
- 内蔵デュアル・チャンネルRFフロント・エンド
- 2ステージLNAおよび高出力SPDTスイッチ
- オンチップ・バイアス・マッチング
- 単電源動作
- ゲイン
- 高ゲインモード:2.3GHzで35dB(代表値)
- 低ゲインモード:2.3GHzで17dB(代表値)
- 低ノイズ指数
- 高ゲインモード:2.3GHzで1.4dB(代表値)
- 低ゲインモード:2.3GHzで1.4dB(代表値)
- 高アイソレーション
- RxOutチャンネルAおよびRxOutチャンネルBの間:50dB(代表値)
- TERMチャンネルAおよびTERMチャンネルBの間:62dB(代表値)
- 低挿入損失:2.3GHzで0.6dB(代表値)
- TCASE = 105°Cで高出力に対応
- 寿命全期間
- 平均LTE出力(9dB PAR):40dBm
- シングル・イベント(10秒以内の動作)
- 平均LTE出力(9dB PAR):43dBm
- 寿命全期間
- 高OIP3:32dBm(代表値)
- LNA用パワーダウン・モードおよび低ゲインモード
- 低電源電流
- 高ゲインモード:5Vで85mA(代表値)
- 低ゲインモード:5Vで35mA(代表値)
- パワーダウン・モード:5Vで12mA(代表値)
- 正ロジック制御
- 6mm × 6mmの40ピンLFCSP
ADRF5549は、1.8GHz~2.8GHzの時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネルの内蔵RFフロントエンド・マルチチップ・モジュールです。ADRF5549は、2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)、高出力シリコン単極、双投(SPDT)スイッチのデュアル・チャンネル構成です。
高ゲインモードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.4dB、高ゲイン35dB、3次インターセプト・ポイント(OIP3)32dBm(代表値)となります。
低ゲインモードでは、2段LNAのうち1段はバイパス・モード内にあり、35mA低電流でのゲインは17dBとなります。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスに12mAの電流を引き出します。
送信動作において、RF入力が終端ピンに接続されると(TERMチャンネルAまたはTERMチャンネルB)、スイッチの低挿入損失は0.6dBとなり、ロングターム・エボリューション(LTE)平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間の平均で40dBm、また、9dB PAR LTEシングル・イベント(10秒未満)平均で43dBmとなります。このデバイスはRoHS準拠のコンパクトな6mm × 6mm、40ピン・リード・フレーム・チップスケール・パッケージ(LFCSP)で提供されます。
アプリケーション
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- TDD Massive Multiple-Input Multiple-Output(MIMO)およびアクティブ・アンテナ・システム
- TDDベースの通信システム
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
デザイン・ノート 1
ビデオ 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADRF5549BCPZN | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5549BCPZN-R7 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5549BCPZN-RL | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。