ADRF5547
ADRF5547
新規設計に推奨デュアル・チャンネル、3.7GHz~5.3GHz、レシーバー・フロント・エンド
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$13.43
Viewing:
製品の詳細
- 内蔵デュアル・チャンネルRFフロント・エンド
- 2ステージLNAおよび高出力SPDTスイッチ
- オンチップ・バイアス・マッチング
- 単電源動作
- ゲイン
- 高ゲインモード:4.6GHzで33dB(代表値)
- 低ゲインモード:4.6GHzで18dB(代表値)
- 低ノイズ指数
- 高ゲインモード:4.6GHzで1.6dB(代表値)
- 低ゲインモード:4.6GHzで1.6dB(代表値)
- 高チャンネル間アイソレーション
- RxOutチャンネルAおよびRxOutチャンネルBの間:45dB(代表値)
- TERMチャンネルAおよびTERMチャンネルBの間:53dB(代表値)
- 低挿入損失:4.6GHzで0.5dB(代表値)
- TCASE = 105°Cで高出力に対応
- 寿命全期間
- 平均LTE出力(9dB PAR):40dBm
- シングル・イベント(10秒以内の動作)
- 平均LTE出力(9dB PAR):43dBm
- 高OIP3:31dBm(代表値)
- LNA用パワーダウン・モードおよび低ゲインモード
- 低電源電流
- 高ゲインモード:5V/86mA(代表値)
- 低ゲインモード:5V/36mA(代表値)
- パワーダウン・モード:5Vで12mA(代表値)
- 正ロジック制御
- 40ピン、6mm × 6mm LFCSP
ADRF5547は、3.7GHz~5.3GHzの時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネルの内蔵RFフロントエンド・マルチチップ・モジュールです。ADRF5547は、2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)、高出力シリコン単極、双投(SPDT)スイッチのデュアル・チャンネル構成です。
高ゲインモードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.6dB、高ゲイン33dB(4.6GHz時)、3次インターセプト・ポイント(OIP3)31dBm(代表値)となります。
低ゲインモードでは、2段LNAのうち1段はバイパス内にあり、36mA低電流でのゲインは18dBとなります。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスに12mAの電流を引き出します。
送信動作において、RF入力が終端ピンに接続されると(TERMチャンネルAまたはTERMチャンネルB)、スイッチの低挿入損失は0.50dBとなり、ロングターム・エボリューション(LTE)平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間動作で40dBm、また、シングル・イベント(<10秒)のLNA保護動作で43dBmとなります。
デバイスは、RoHS準拠、コンパクトな40ピン6mm × 6mm LFCSPパッケージでのご提供です。
アプリケーション
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- TDD Massive Multiple-Input Multiple-Output(MIMO)およびアクティブ・アンテナ・システム
- TDDベースの通信システム
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
デザイン・ノート 1
ビデオ 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADRF5547BCPZN | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5547BCPZN-R7 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5547BCPZN-RL | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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9 23, 2022 - 22_0013 ADRF5547 ESD Sensitivity Specification and Data Sheet Change |
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ADRF5547BCPZN | 製造中 | |
ADRF5547BCPZN-R7 | 製造中 | |
ADRF5547BCPZN-RL | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。