ADRF5545A
ADRF5545A
新規設計に推奨デュアル・チャンネル、2.4GHz~4.2GHzレシーバー・フロント・エンド
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$13.43
Viewing:
製品の詳細
- 内蔵デュアル・チャンネルRFフロント・エンド
- 2ステージLNAおよび高出力SPDTスイッチ
- オンチップ・バイアス・マッチング
- 単電源動作
- ゲイン
- 高ゲインモード:3.6GHzで32dB(代表値)
- 低ゲインモード:3.6GHzで16dB(代表値)
- 低ノイズ指数
- 高ゲインモード:3.6GHzで1.45dB(代表値)
- 低ゲインモード:3.6GHzで1.45dB(代表値)
- 高アイソレーション
- RXOUTチャンネルAおよびRXOUTチャンネルB:47dB(代表値)
- TERMチャンネルAおよびTERMチャンネルB:52dB(代表値)
- 低挿入損失:3.6GHzで0.65dB(代表値)
- TCASE = 105°Cで高出力に対応
- 寿命全期間
- 平均LTE出力(9dB PAR):40dBm
- シングル・イベント(10秒以内の動作)
- 平均LTE出力(9dB PAR):43dBm
- 寿命全期間
- 高OIP3:32dBm(代表値)
- LNA用パワーダウン・モードおよび低ゲインモード
- 低電源電流
- 高ゲインモード:5V/86mA(代表値)
- 低ゲインモード:5V/36mA(代表値)
- パワーダウン・モード:5V/12mA(代表値)
- 正ロジック制御:
- 6mm × 6mmの40ピンLFCSPパッケージ
ADRF5545Aは、2.4GHz~4.2GHzの時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネル、無線周波数(RF)集積のフロント・エンド・マルチチップ・モジュールです。ADRF5545Aは、2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)、高出力シリコン単極、双投(SPDT)スイッチのデュアル・チャンネル構成です。
高ゲインモードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.45dB、高ゲイン32dB(3.6GHz時)、3次インターセプト・ポイント(OIP3)32dBm(代表値)となります。低ゲインモードでは、2段LNAのうち1段はバイパス内にあり、36mA低電流でのゲインは16dBとなります。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスに12mAの電流を引き出します。
送信動作において、RF入力が終端ピンに接続されると(TERMチャンネルAまたはTERMチャンネルB)、スイッチの低挿入損失は0.65dBとなり、ロングターム・エボリューション(LTE)平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間動作で40dBm、また、シングル・イベント(<10秒)のLNA保護動作で43dBmとなります。
デバイスは、RoHS準拠、コンパクトな6mm × 6mm、40ピンLFCSPパッケージでのご提供です。
アプリケーション
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- TDD Massive MIMO(Multiple-Input Multiple-Output)およびアクティブ・アンテナ・システム
- TDDベースの通信システム
ドキュメント
データシート 1
ユーザ・ガイド 1
デザイン・ノート 1
技術記事 1
ビデオ 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADRF5545ABCPZN | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5545ABCPZN-R7 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5545ABCPZN-RL | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。