ADRF5515A
ADRF5515A
新規設計に推奨デュアル・チャンネル、3.3GHz~4.0GHz、20Wのレシーバー・フロント・エンド
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
Viewing:
製品の詳細
- デュアル・チャンネルRFフロント・エンドを内蔵
- 2段LNAおよび高出力シリコンSPDTスイッチ
- オンチップのバイアスおよびマッチング
- 単電源動作
- TCASE = 105°Cで高出力に対応
- 平均LTE出力(9dB PAR、寿命全期間):43dBm
- ゲイン
- 高ゲイン・モード:3.6GHzで36dB(代表値)
- 低ゲイン・モード:3.6GHzで17dB(代表値)
- 低ノイズ指数
- 高ゲイン・モード:3.6GHzで1.05dB(代表値)
- 低ゲイン・モード:3.6GHzで1.05dB(代表値)
ADRF5515Aは、時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計されたデュアル・チャンネルの統合型RFフロント・エンド・マルチチップ・モジュールです。デバイスは、3.3GHz~4.0GHzで動作します。2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)および高出力シリコン単極双投(SPDT)スイッチを備えたデュアル・チャンネル構成となっています。
高ゲイン・モードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチを使用して、低ノイズ指数1.05dB、高ゲイン36dB(3.6GHz時)、出力3次インターセプト・ポイント(OIP3)35dBm(代表値)を実現します。低ゲイン・モードでは、2段LNAのうち1段はバイパスされ、48mAという低電流で17dBのゲインを実現します。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスは13mAの電流を供給します。
送信動作において、RF入力が終端ピン(TERM-CHAまたはTERM-CHB)に接続されると、スイッチは0.5dBという低挿入損失となり、ロング・ターム・エボリューション(LTE)の平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間動作で43dBmになります。
デバイスは、RoHS準拠の小型6mm × 6mm、40ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ(LFCSP)を採用しています。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 1
ユーザ・ガイド 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADRF5515ABCPZN | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5515ABCPZN-R7 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5515ABCPZN-RL | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
評価用キット
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