ADRF5515
ADRF5515
新規設計に推奨デュアル・チャンネル、3.3GHz~4.0GHz、20Wレシーバー・フロント・エンド
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$9.76
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製品の詳細
- 内蔵デュアル・チャンネルRFフロント・エンド
- 2ステージLNAおよび高出力シリコンSPDTスイッチ
- オンチップ・バイアス・マッチング
- 単電源動作
- ゲイン
- 高ゲイン・モード:3.6GHzで33dB(代表値)
- 低ゲイン・モード:3.6GHzで16dB(代表値)
- 低ノイズ指数
- 高ゲイン・モード:3.6GHzで1.0dB(代表値)
- 低ゲイン・モード:3.6GHzで1.0dB(代表値)
- 高アイソレーション
- RXOUTチャンネルAおよびRXOUTチャンネルB:45dB(代表値)
- TERMチャンネルAおよびTERMチャンネルB:60dB(代表値)
- 低挿入損失:3.6GHzで0.45dB(代表値)
- TCASE = 105°Cで高出力に対応
- 寿命全期間
- 平均LTE出力(9dB PAR):43dBm
- 寿命全期間
- 高OIP3(高ゲイン・モード):32dBm(代表値)
- LNA用パワーダウン・モードおよび低ゲイン・モード
- 低電源電流
- 高ゲイン・モード:5Vで86mA(代表値)
- 低ゲイン・モード:5Vで36mA(代表値)
- パワーダウン・モード:5Vで12mA(代表値)
- 正ロジック制御
- 6mm × 6mmの40ピンLFCSPパッケージ
- ADRF5545A、10Wバージョンとピン互換
ADRF5515は、時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネルの統合型RFフロントエンド・マルチチップ・モジュールです。デバイスは、3.3GHz~4.0GHzで動作します。2段カスケード低LNAおよび高出力シリコンSPDTスイッチを備えたデュアル・チャンネル構成となっています。
高ゲイン・モードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.0dB、高ゲイン33dB(3.6GHz時)、3次インターセプト・ポイント(OIP3)32dBm(代表値)となります。低ゲイン・モードでは、2段LNAのうち1段はバイパス内にあり、36mA低電流でのゲインは16dBとなります。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスは12mAの電流を供給します。
送信動作において、RF入力が終端ピンに接続されると(TERMチャンネルAまたはTERMチャンネルB)、スイッチの低挿入損失は0.45dBとなり、ロングターム・エボリューション(LTE)平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間動作で43dBmとなります。
ADRF5515は、2.4GHz~4.2GHzで動作するADRF5545A(10Wバージョン)とのピン互換性を備えています。
ADRF5515のRFポートには、内部で50Ωに整合しているマッチング部品は必要ありません。ANTポートとTERMポートも内部でACカップリングされています。したがって、レシーバー・ポートにのみ外付けDC阻止コンデンサが必要です。
デバイスは、RoHS準拠、コンパクトな6mm × 6mm、40ピンLFCSPパッケージでのご提供です。
アプリケーション
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- TDD Massive MIMO(Multiple-Input Multiple-Output)およびアクティブ・アンテナ・システム
- TDDベースの通信システム
ドキュメント
データシート 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADRF5515BCPZN | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5515BCPZN-R7 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5515BCPZN-RL | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。