
电源中的氮化镓(GaN)解决方案
GaN可实现更高的功率密度,即相同空间内功率更大,但这些技术为提供快速过流保护系统和可靠运行带来了新的挑战和要求。ADI推出的GaN功率解决方案可简化设计流程、缩短上市时间并提供系统级节能性能。
价值和优势
ADI通过GaN功率创新提高了能效比、缩小了功率设计尺寸并提高了热性能。
EPC首席执行官Alex Lidow评论道:"想要充分提高DC-DC转换器的功率密度,就需要使用GaN FET。我们很高兴与ADI合作,将其先进控制器的优势与GaN的性能相结合,为客户提供功率密度高、元件数量少的解决方案,从而提高效率、增加功率密度并降低系统成本。"
提高能效比
缩小功率设计尺寸
改进散热性能

解决方案资源
评估版

EVAL-LTC7890-AZ
具有 GaN FET 的高频双输出降压型电源

EVAL-LTC7891-AZ
具有 EPC GaN FET 的高频降压型电源

EVAL-LT8418-BZ
具有智能集成引导开关的 100V 半桥 GaN 驱动器

DC2736A
LTC7800EUDC演示板 | 带GaN晶体管的高频率同步降压转换器
开发人员工具和资源
设计工具
Power Management Tools
LTspice
LTpowerCAD® and LTpowerPlanner®
EE-Sim® Power Tools
仿真模型
ADI为RF、线性器件、转换器、电源管理器件和其他产品提供仿真模型,满足电路和电路板级仿真需求。
培训与支持
培训与教程
{{modalTitle}}
{{modalDescription}}
{{dropdownTitle}}
- {{defaultSelectedText}} {{#each projectNames}}
- {{name}} {{/each}} {{#if newProjectText}}
-
{{newProjectText}}
{{/if}}
{{newProjectTitle}}
{{projectNameErrorText}}