EVAL-LT8418-BZ
具有智能集成引导开关的 100V 半桥 GaN 驱动器
顶部
概览
产品详情
EVAL-LT8418-BZ 评估电路采用 LT8418，以半桥配置驱动两个 100V 增强型氮化镓 (eGaN) FET。该电路作为降压转换器进行了优化，但它也可以用作升压转换器或由半桥组成的其他转换器拓扑。该评估电路可提供高达 10A 的电流，并具有良好的热管理能力。
该电路板需要外部单个或两个 PWM 信号来驱动，具体取决于配置。在单输入设置中，板上的死区时间电路用于生成补码信号并设置死区时间。在双输入设置中，死区时间电路将被绕过。LT8418 驱动器具有强大的 0.2Ω 下拉和 0.6Ω 上拉驱动器，驱动两个 100V GaN FET。它还集成了智能集成引导开关，可从具有最小电压差的 VCC 生成平衡引导电压。LT8418 提供分离栅极驱动器来调整 GaN FET 的开启和关闭压摆率，从而抑制振荡和优化 EMI 性能。
文档
-
EVAL-LT8418-BZ - Schematic2023/12/8PDF84 K
-
EVAL-LT8418-BZ - Design Files2023/12/8ZIP1M