氮化镓（GaN）技术

氮化镓(GaN)具有较高的功率密度，意味着能够在尺寸更小、元件更少、更轻巧的系统中提供更高的功率，有助于实现更可靠、更高效的系统。

ADI不仅在GaN器件设计和支持方面拥有广博精深的专业知识，而且精通领域知识，是助您实现GaN技术优势的理想合作伙伴。

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探索应用领域氮化镓（GaN）技术

电源中的氮化镓(GaN)解决方案
射频(RF)中的氮化镓(GaN)解决方案

电源中的氮化镓(GaN)解决方案

简化的设计有助于控制或驱动GaN功率级。

射频(RF)中的氮化镓(GaN)解决方案

克服大的尺寸、重量和功率（SWaP）需求。

电源中的氮化镓(GaN)解决方案

电源中的氮化镓(GaN)解决方案

简化的设计有助于控制或驱动GaN功率级。

射频(RF)中的氮化镓(GaN)解决方案

射频(RF)中的氮化镓(GaN)解决方案

克服大的尺寸、重量和功率（SWaP）需求。

ADI推动GaN创新

GaN已成为革命性的新兴半导体材料，与电力电子和射频(RF)应用中的现有技术相比，都具有多种显著优势。我们正在利用GaN开发并实现可提供更高功率密度、出色效率和超快开关速度的解决方案。GaN不仅具有多功能性，而且能够在高频下工作和处理高功率密度，因此成为了推动电力电子、电信、航空航天和防务等领域创新的关键技术。

ADI如何与其他公司合作提供解决方案

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ADI如何确保其产品质量和可靠性

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电源中的氮化镓(GaN)解决方案

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