HMC639

推荐新设计使用

高IP3、低噪声放大器，0.2 - 4.0 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

低噪声系数： 2.3 dB
高P1dB输出功率： +22 dBm
高输出IP3： +38 dBm
增益： 13 dB
50 Ω I/O – 无需外部匹配
工业标准SOT89封装

参考资料

数据手册 1

HMC639 Data Sheet 04/22/2015

应用笔记 3

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC639ST89E	3-Lead SOT-89	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC639ST89ETR	3-Lead SOT-89	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

这是最新版本的数据手册

工具及仿真模型

S-参数 1

HMC639 S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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