LTC7892
新規設計に推奨窒化ガリウム(GaN)FET向け低IQ、デュアル2相同期整流式昇圧コントローラ
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$3.37
製品の詳細
- GaN FET向けに全面的に最適化されたGaN駆動テクノロジ
- 出力電圧:最大100V
- 広いVIN範囲:4V~60V、スタートアップ後に1Vの低電圧で動作
- キャッチ、クランプ、ブートストラップのダイオードは不要
- 内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、ハイサイド・ドライバ用電源の過充電を防止
- 抵抗により調整可能なデッド・タイム
- スプリット出力ゲート・ドライバにより、オン/オフ時のドライバ強度設定を調整可能
- 調整可能で正確なドライバ電圧とUVLO
- 低い動作IQ:15μA
- プログラム可能な周波数(100kHz~3MHz)
- 同期可能な周波数(100kHz~3MHz)
- スペクトラム拡散周波数変調
- 40ピン(6mm × 6mm)、サイドウェッタブルQFNパッケージ
- オートモーティブ・アプリケーション向けのAEC-Q100認証を取得
高性能のデュアル昇圧DC/DCスイッチング・レギュレータ・コントローラLTC®7892 は、あらゆるNチャンネル同期窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のパワー段を出力電圧から最大100Vまで駆動できます。LTC7892は、これまでGaN FETを使用する際に直面していた多くの課題を解決します。LTC7892を使用すると、シリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)ソリューションと比べてアプリケーション設計が簡素化すると同時に、保護ダイオードやその他の外付け部品の追加が不要になります。
内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、デッド・タイム中にBOOSTxピンからSWxピンへのハイサイド・ドライバ電源への過充電を防止して、トップGaN FETのゲートを保護できます。外部抵抗を使用してLTC7892のデッド・タイムを最適化することで、マージンを確保したり、アプリケーションをカスタマイズして効率を高め、高周波動作を可能にしたりすることもできます。
LTC7892のゲート駆動電圧を4V~5.5Vの間で正確に調節することで、性能を最適化し、様々なGaN FETまたはロジック・レベルのMOSFETを使用できるようになります。昇圧コンバータのレギュレータ出力からバイアスする場合、LTC7892の起動後は、1Vという低い入力電源電圧で動作できます。
アプリケーション
- オートモーティブ用および産業用電源システム
- 防衛アビオニクスおよび医療システム
- 電気通信用電源システム
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
LTC7892AUJM#PBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7892AUJM#TRPBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7892AUJM#WPBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7892AUJM#WTRPBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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ドライバ/ソフトウェアをリクエストツールおよびシミュレーション
LTspice 1
下記製品はLTspiceで使用することが出来ます。:
- LTC7892
LTpowerCAD
次のデバイス用の設計ツールがLTpowerCADでご使用になれます。
- LTC7892
LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。