LTC7892

新規設計に推奨

窒化ガリウム(GaN)FET向け低IQ、デュアル2相同期整流式昇圧コントローラ

利用上の注意

本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

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製品の詳細

  • GaN FET向けに全面的に最適化されたGaN駆動テクノロジ
  • 出力電圧:最大100V
  • 広いVIN範囲:4V~60V、スタートアップ後に1Vの低電圧で動作
  • キャッチ、クランプ、ブートストラップのダイオードは不要
  • 内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、ハイサイド・ドライバ用電源の過充電を防止
  • 抵抗により調整可能なデッド・タイム
  • スプリット出力ゲート・ドライバにより、オン/オフ時のドライバ強度設定を調整可能
  • 調整可能で正確なドライバ電圧とUVLO
  • 低い動作IQ:15μA
  • プログラム可能な周波数(100kHz~3MHz)
  • 同期可能な周波数(100kHz~3MHz)
  • スペクトラム拡散周波数変調
  • 40ピン(6mm × 6mm)、サイドウェッタブルQFNパッケージ
  • オートモーティブ・アプリケーション向けのAEC-Q100認証を取得
LTC7892
窒化ガリウム(GaN)FET向け低IQ、デュアル2相同期整流式昇圧コントローラ
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LTspice 1


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  • LTC7892

LTpowerCAD

次のデバイス用の設計ツールがLTpowerCADでご使用になれます。

  • LTC7892
LTspice

LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。

 


評価用キット

eval board
EVAL-LTC7892-BZ

100V GaN FETを搭載した高周波数昇圧コントローラ

製品詳細

評価用回路EVAL-LTC7892-BZにはLTC®7892が搭載されています。LTC7892は、100V同期整流式昇圧窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)コントローラであり、100V GaN FETを使用するアプリケーションにおいて、500kHz、9V~36Vの入力範囲で動作するように最適化されています。EVAL-LTC7892-BZは、内部で最適化されたブートストラップ・スイッチと適応型タイム制御により、GaN FETを最大1.4kWの電力レベルまで安全かつ容易に駆動できるよう特別に設計されています。スプリット・ゲート・ドライバにより、FETのオン/オフを簡単に調整できます。更に、低IQ、最大3MHzのスイッチング周波数(プログラムまたは同期可能)、スペクトラム拡散、40ピンの小型(6mm x 6mm)サイド・ウェッタブルQFNパッケージを特徴としています。これらの特徴により、産業、軍事、医療、通信システムなど様々なアプリケーションに対応できます。

EVAL-LTC7892-BZは9V~36Vの入力電圧範囲で動作し、最大48V、30Aの出力を生成します。LTC7892には高精度電圧リファレンスが備わっているため、動作条件の全範囲にわたり許容誤差2%の出力電圧を生成できます。EVAL-LTC7892-BZは500kHzのスイッチング周波数に設定されているため、小型で効率的な回路を実装できます。このコンバータは、最大動作VINで負荷が30Aのときに98%を超える効率を達成し、ピーク効率は99%に近づきます。

このボードは、1.2V~90Vの出力電圧を安定化するように容易に変更できます。同様のフットプリントを持つ様々なFETを使用して、幅広いアプリケーションに適合させることができます。EVAL-LTC7892-BZは、48Vの出力を生成できる、高性能で費用対効果に優れたソリューションです。LTC7892のデータシートには、この部品の構成、動作、アプリケーションに関する詳細が記載されています。このユーザ・ガイドと併せて、LTC7892のデータシートを参照してください。

この回路ボードの設計ファイルは、www.analog.com/jpから入手できます。

EVAL-LTC7892-BZ
100V GaN FETを搭載した高周波数昇圧コントローラ

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