LTC7890
新規設計に推奨GaN FET向け低IQ、デュアル2相同期整流式降圧コントローラ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$3.37
製品の詳細
- GaN FET向けに全面的に最適化されたGaN駆動テクノロジ
- 広いVIN範囲:4V~100V
- 広い出力電圧範囲:0.8V ≤ VOUT ≤ 60V
- キャッチ/クランプ/ブートストラップ・ダイオード不要
- 内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、ハイサイド・ドライバ用電源の過充電を防止
- ほぼゼロになるよう内部で最適化されたスマート・デッド・タイム、または抵抗により調整可能なデッド・タイム
- ゲート・ドライバの分割出力により、ドライバ強度設定のオン/オフが調整可能
- 調整可能で正確なドライバ電圧とUVLO
- 低IQ:5μA(48VINから5VOUT、Ch 1がオンのとき)
- 設定可能な周波数(100kHz~3MHz)
- 同期可能周波数(100kHz~3MHz)
- 周波数スペクトラム拡散変調
- 40ピン(6mm × 6mm)、サイド・ウェッタブル、QFNパッケージ
高性能のデュアル降圧DC/DCスイッチング・レギュレータ・コントローラLTC7890は、あらゆるNチャンネル同期窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のパワー段を入力電圧から最大100Vまで駆動できます。LTC7890により、GaN FET使用時に直面していた従来の課題の多くが解決されます。LTC7890を使用すると、シリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)ソリューションと比べてアプリケーション設計が簡素化すると同時に、保護ダイオードやその他の追加の外付け部品が不要になります。
内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、デッド・タイム中にBOOSTxピンからSWxピンへのハイサイド・ドライバ電源への過充電を防止して、トップGaN FETのゲートを保護できます。LTC7890では、両方のスイッチング・エッジでゲート・ドライバのタイミングを内部的に最適化しており、ほぼゼロのスマート・デッド・タイムを実現しています。そのため、効率が大幅に向上し、入力電圧が大きい場合でも高周波数動作が可能になります。または、外部抵抗を使用してデッド・タイムを調整し、マージンを確保したり、アプリケーションに適合させたりできます。
性能の最適化や、様々なGaN FETまたはロジック・レベルのMOSFETの使用にあたって、LTC7890のゲート駆動電圧は4V~5.5Vの間で正確に調節できます。
アプリケーション
- 産業用電源システム
- 防衛アビオニクスおよび医療システム
- 電気通信用電源システム
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 3
ビデオ 4
ソリューション・カタログ 1
珍問/難問集 1
Analog Dialogue 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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LTC7890RUJM#PBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7890RUJM#TRPBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
LTspice 2
- LTC7890 - Step-Down (Buck) Regulators
- LTC7890 Example Circuit - High Voltage Synchronous Dual Output GaN FET Buck Controller 30-72Vin, 12V, 20A & 5V, 20A Outputs at 500kHz with EPC GaN FETs
下記製品はLTspiceで使用することが出来ます。:
- LTC7890
LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。