HMC-APH510-DIE
製造中止中出力パワー・アンプ・チップ、37 GHz ~ 40 GHz
- 製品モデル
- 1
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 出力 IP3: +35 dBm
- P1dB: +26 dBm
- ゲイン: 20 dB
- 電源電圧: +5 V
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 3.76 mm x 0.92 mm x 0.1 mm
HMC-APH510 は、広ダイナミック・レンジの 3 段 GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプで、37 GHz ~ 40 GHz で動作します。HMCAPH510 は、+5 V 電源電圧から 20 dB のゲインと 1 dB 圧縮ポイントでの +26 dBm の出力電力を提供します。全てのボンディング・パッドとダイ裏面は、Ti/Au でメタライズされ、アンプ・デバイスは信頼性の高い動作のために完全にパッシベーション処理されています。
HMC-APH510 GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプは、従来のダイ・アタッチ方式に加え、熱圧縮や熱超音波のワイヤ・ボンディングと互換性があるため、MCM やハイブリッド・マイクロ回路のアプリケーションに最適です。ここに示す全てのデータは、50 Ω 環境に置いたチップに RF プローブを接触させて測定したものです。
アプリケーション- ポイント to ポイント無線
- ポイント to マルチポイント無線
- 防衛および宇宙
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 2
技術記事 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC-APH510-SX | CHIPS OR DIE |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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7 19, 2019 - 19_0036 Obsolescence of product models. |
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HMC-APH510-SX | 製造中止 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ハードウェア・エコシステム
製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
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HMC635-Die | ドライバ・アンプ・チップ、18 GHz ~ 40 GHz |
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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