HMC-ABH241-DIE
新規設計には非推奨中出力パワー・アンプ・チップ、50 GHz ~ 66 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 出力 IP3: +25 dBm
- P1dB: +17 dBm
- ゲイン: 24 dB
- 電源電圧: +5 V
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 3.2 mm x 1.42 mm x 0.1 mm
HMC-ABH241 は 4 段構成の GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプで、動作範囲は 50 GHz ~ 66 GHz です。HMC-ABH241 は、+5 V 電源電圧から 24 dB のゲインと 1 dB 圧縮ポイントでの +17 dBm の出力電力を実現します。全てのボンディング・パッドとダイの裏面は、Ti/Au でメタライズされ、アンプ・デバイスは信頼性の高い動作のために完全にパッシベーション処理されています。
HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプは、従来のダイ・アタッチ方式に加え、熱圧縮や熱超音波のワイヤ・ボンディングと互換性があるため、MCM やハイブリッド・マイクロ回路のアプリケーションに最適です。ここに示す全てのデータは、50 Ω 環境に置いたチップに RF プローブを接触させて測定したものです。
アプリケーション
- 短距離/大容量リンク
- ワイヤレス LAN ブリッジ
- 防衛および宇宙
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 2
技術記事 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC-ABH241 | CHIPS OR DIE | ||
HMC-ABH241-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ハードウェア・エコシステム
製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
---|---|---|
HMC1022A-Die | 新規設計に推奨 | GaAs, pHEMT, MMIC, 0.25 W Power Amplifier, DC to 48 GHz |
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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