HMC1022A-Die
新規設計に推奨GaAs, pHEMT, MMIC, 0.25 W Power Amplifier, DC to 48 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- P1dB: 25 dBm (typical) at dc to 30 GHz frequency range
- PSAT: 26 dBm (typical) at dc to 30 GHz frequency range
- Gain: 11.5 dB (typical)
- Output IP3: 33 dBm (typical) at dc to 30 GHz frequency range
- Supply voltage: 10 V at 150 mA
- 50 Ω matched I/O
- Die size: 2.89 mm × 1.48 mm × 0.1 mm
The HMC1022ACHIPS is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifier that operates from dc to 48 GHz. The amplifier provides 11.5 dB of small signal gain, 0.25 W (25 dBm) output power at 1 dB gain compression (P1dB), and a typical output third-order intercept (IP3) of 33 dBm, while requiring 150 mA from a 10 V supply on the VDD pin. Gain flatness is excellent from dc to 48 GHz at ±0.5 dB typical, making the HMC1022ACHIPS ideal for military, space, and test equipment applications. The HMC1022ACHIPS also features inputs/outputs (I/Os) that are internally matched to 50 Ω, facilitating integration into multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via 0.075 mm × 0.025 mm (3 mil × 1 mil) ribbon bonds with a minimal length of 0.31 mm (12 mils).
Applications
- Military and space
- Test instrumentation
ドキュメント
データシート 2
アプリケーション・ノート 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC1022A-SX | CHIPS OR DIE | ||
HMC1022ACHIPS | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
ツールを開く最新のディスカッション
hmc1022a-dieに関するディスカッションはまだありません。意見を投稿しますか?
EngineerZone®でディスカッションを始める