ADRF5519
ADRF5519
新規設計に推奨デュアル・チャンネル、2.3GHz~2.8GHz、20Wのレシーバー・フロント・エンド
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$9.76
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製品の詳細
- デュアル・チャンネルRFフロント・エンドを内蔵
- 2段LNAおよび高出力シリコンSPDTスイッチ
- オンチップのバイアスおよびマッチング
- 単電源動作
- TCASE = 105°Cで高出力に対応
- 平均LTE出力(9dB PAR、寿命全期間):43dBm
- ゲイン
- 高ゲイン・モード:2.6GHzで35dB(代表値)
- 低ゲイン・モード:2.6GHzで14dB(代表値)
- 低ノイズ指数
- 高ゲイン・モード:2.6GHzで1.0dB(代表値)
- 低ゲイン・モード:2.6GHzで1.0dB(代表値)
ADRF5519は、2.3GHz~2.8GHzの時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネルの統合型RFフロントエンド・マルチチップ・モジュールです。2段カスケード低ノイズ・アンプ(LNA)および高出力シリコン単極双投(SPDT)スイッチを備えたデュアル・チャンネル構成となっています。
高ゲイン・モードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.0dB、高ゲイン35dB(2.6GHz時)、出力3次インターセプト・ポイント(OIP3)32dBm(代表値)となります。低ゲイン・モードでは、2段LNAのうち1段はバイパスされ、36mAという低電流で14dBのゲインを実現します。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスは12mAの電流を供給します。
送信動作では、RF入力が終端ピンに接続されます(ANT-CHAまたはANT-CHBをTERM-CHAまたはTERM-CHBにそれぞれ接続)。スイッチは0.5dBという低挿入損失となり、ロングターム・エボリューション(LTE)の平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間動作で43dBmになります。
デバイスは、RoHS準拠、コンパクトな6mm × 6mm、40ピンLFCSPパッケージでのご提供です。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADRF5519BCPZN | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5519BCPZN-R7 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5519BCPZN-RL | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
評価用キット
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