ADPA9007-2
新規設計に推奨DC~28GHz、GaAs、pHEMT、2Wパワー・アンプ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
Viewing:
製品の詳細
- 広帯域で、内部整合されたRFパワー・アンプ
- 入力と出力をDC結合
- RFパワー・ディテクタ内蔵
- 温度センサー内蔵
- ゲイン:8GHz~16GHzで13dB(代表値)
- OP1dB:8GHz~16GHzで32.5dBm(代表値)
- PSAT:8GHz~16GHzで33.5dBm(代表値)
- OIP3:8GHz~16GHzで43.5dBm(代表値)
ADPA9007-2CHIPは、DCから28GHzまで動作する2WのRFパワー・アンプです。RF入力と出力は内部的にマッチングされ、DC結合されています。ADPA9007-2CHIPには、温度補償型RF電力検出器と温度センサーが内蔵されています。
ADPA9007-2CHIPアンプは、8GHz~16GHzで13dBのゲイン、1dB圧縮の出力電力(OP1dB)32.5dBm、出力3次インターセプト(OIP3)43.5dBmを提供します。このアンプは、15Vの標準電源電圧(VDD)で動作し、調整可能な500mAの標準静止ドレイン電流(IDQ)を備えています。
ADPA9007-2CHIPは、ガリウムヒ素(GaAs)、擬似格子高電子移動度トランジスタ(pHEMT)プロセスで製造されており、−55°C~+85°Cで動作するように仕様規定されています。
アプリケーション
- 電子戦
- レーダー
- 試験装置および計測装置
ドキュメント
データシート 2
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADPA9007-2C-SX | CHIPS OR DIE | ||
ADPA9007-2CHIP | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
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