ADPA1113
新規設計に推奨2GHz~6GHz、46dBm(40W)、窒化ガリウム(GaN)パワー・アンプ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$603.36
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製品の詳細
- 内部整合・ACカップリングされた40W GaNパワー・アンプ
- ドレイン・バイアス・インダクタを内蔵
- POUT:2.0GHz~5.7GHzで46.5dBm(代表値)(PIN = 21dBm)
- 小シグナル・ゲイン:2.3GHz~5.7GHzで40.5dB(代表値)
- パワー・ゲイン:2.0GHz~5.7GHzで25.5dB(代表値)(PIN = 21dBm)
- PAE:2.3GHz~5.7GHzで39%(代表値)
- VDD = 28V(IDQ = 750mA時)
- 銅モリブデン・ベースの14ピン・セラミック・リード・チップ・キャリア(LDCC)
ADPA1113は窒化ガリウム(GaN)広帯域パワー・アンプで、2.3GHz~5.7GHzの帯域幅において39.0%の電力付加効率(PAE)で46.5dBm(44.7W)を供給します。フル・バンド動作の実現に外部マッチングやACカップリングは不要です。また、アンプにバイアスをかけるために外部インダクタは必要ありません。
ADPA1113は、防衛用電波妨害装置やレーダーといった連続波アプリケーションに最適です。
アプリケーション
- 防衛用電波妨害装置
- 民生用および防衛用レーダー
- 試験装置および計測装置
ドキュメント
データシート 2
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADPA1113AEJZ | CER LEADED CHIP CARRIER | ||
ADPA1113AEJZ-50 | CER LEADED CHIP CARRIER |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。