LTC7893
新規設計に推奨100V低IQ、GaN FET用同期整流式昇圧コントローラ
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$2.09
製品の詳細
- GaN FET向けに全面的に最適化されたGaN駆動テクノロジ
- 出力電圧:最大100V
- 広いVIN範囲:4V~60V、スタートアップ後に1Vの低電圧で動作
- キャッチ、クランプ、ブートストラップのダイオードは不要
- 内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、ハイサイド・ドライバ用電源の過充電を防止
- 抵抗により調整可能なデッド・タイム
- ゲート・ドライバのスプリット出力により、ドライバ強度設定のオン/オフが調整可能
- 調整可能で正確なドライバ電圧とUVLO
- 低い動作IQ:15μA
- プログラム可能な周波数(100kHz~3MHz)
- 同期可能な周波数(100kHz~3MHz)
- スペクトラム拡散周波数変調
- 28ピン(4mm × 5mm)、サイド・ウェッタブル、QFNパッケージ
- 車載アプリケーション向けのAEC-Q100認証を取得
高性能の昇圧DC/DCスイッチング・レギュレータ・コントローラLTC®7893は、あらゆるNチャンネル同期窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のパワー段を出力電圧から最大100Vまで駆動できます。LTC7893は、これまでGaN FETを使用する際に直面していた多くの課題を解決します。LTC7893を使用すると、シリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)ソリューションと比べてアプリケーション設計が簡素化すると同時に、保護ダイオードやその他の外付け部品の追加が不要になります。
内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、デッド・タイム時のBOOSTピンからSWピンへのハイサイド・ドライバ電源への過充電を防止して、上側GaN FETのゲートを保護できます。外部抵抗を使用してLTC7893のデッド・タイムを最適化することで、マージンを確保したり、アプリケーションをカスタマイズして効率を高め、高周波動作を可能にしたりすることもできます。
LTC7893のゲート駆動電圧を4V~5.5Vの間で正確に調節することで、性能を最適化し、様々なGaN FETまたはロジック・レベルのMOSFETを使用できるようになります。昇圧コンバータのレギュレータ出力からバイアスする場合、LTC7893の起動後は、1Vという低い入力電源電圧で動作できます。
- オートモーティブ用および工業用電源システム
- 防衛アビオニクスおよび医療システム
- 通信電力システム
ドキュメント
データシート 1
ユーザ・ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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LTC7893AUFDM#PBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7893AUFDM#TRPBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7893AUFDM#WPBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7893AUFDM#WTRPBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
LTspice 1
LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。
評価用キット
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