HMC930A-DIE

製造中

GaAs pHEMT MMIC 0.25 W パワー・アンプ、DC ～ 40 GHz

データシート (Rev. 0) 製品セレクション・テーブル

製品モデル: 2
1Ku当たりの価格: 価格は未定

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製品の詳細

高出力電力の 1 dB 圧縮ポイント（P1dB）: 22 dBm
高飽和出力電力（PSAT）: 24 dBm
高ゲイン: 13 dB
高出力 3 次インターセプト・ポイント（IP3）: 33.5 dBm
電源電圧: 10 V/175 mA
50 Ω に整合した入出力
ダイ・サイズ: 2.82 mm x 1.50 mm x 0.1 mm

製品モデル: 2
1Ku当たりの価格: 価格は未定

ドキュメント

データシート 1

HMC930A: GaAs, pHEMT, MMIC, 0.25 W Power Amplifier, DC to 40 GHz Die Data Sheet (Rev.0) 12/10/2015

アプリケーション・ノート 3

AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 08/01/2019

AN-2061: 0402 SMD 部品を使った広帯域バイアス・ティーの設計 11/30/2020

AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers 05/13/2020

アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。

製品モデル	ピン／パッケージ図	資料	CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
HMC930A	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC930A-SX	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

これは最新改訂バージョンのデータシートです。

ハードウェア・エコシステム

製品モデル	製品ライフサイクル	詳細
HMC5805A	新規設計に推奨	GaAs pHEMT MMIC 0.25 W パワー・アンプ、DC ～ 40 GHz

ツールおよびシミュレーション

Sパラメータ 1

HMC930A-DIE S-Parameters

キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

ツールを開く

ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。