HMC907A-Die
製造中GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier, 0.2 - 22 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- High P1dB Output Power: +28 dBm
- High Gain: 14 dB
- High Output IP3: +41 dBm
- Single Supply: +10V @ 350 mA
- 50 Ohm Matched Input/Output
- Die Size: 2.92 x 1.35 x 0.1 mm
The HMC907A is a GaAs MMIC pHEMT Distributed Power Amplifier die which operates between 0.2 and 22 GHz. This self-biased power amplifier provides 14 dB of gain, 41 dBm output IP3 and +28 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 350mA from a +10V supply. Gain flatness is excellent at ±0.7 dB from DC to 12 GHz making the HMC907A ideal for EW, ECM, Radar and test equipment applications. The HMC907A amplifier I/Os are internally matched to 50 Ohms facilitating integration into Mutli-Chip-Modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025mm (1 mil) wire bonds of minimal 0.31 mm (12 mils) length.
Applications
- Test Instrumentation
- Military & Space
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC907A | CHIPS OR DIE | ||
HMC907A-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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