HMC8410-DIE
製造中0.01 GHz ~ 10 GHz、GaAs pHEMT MMIC 低ノイズ・アンプ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 低ノイズ指数: 1.1 dB(代表値)
- 高ゲイン: 19.5 dB(代表値)
- 高出力 3 次インターセプト・ポイント(IP3): 33 dBm(代表値)
- ダイ・サイズ: 0.945 mm × 0.61 mm × 0.102 mm
HMC8410CHIPS は、ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)低ノイズ広帯域アンプで、0.01 GHz ~ 10 GHz の周波数範囲で動作します。このデバイスは 19.5 dB のゲイン、1.1 dB のノイズ指数、33 dBm の出力 IP3(それぞれ代表値)を提供し、5 V 電源電圧から 65 mA を必要とします。この低ノイズ・アンプ(LNA)は、飽和出力電力(PSAT)が 22.5 dBm なので、アナログ・デバイセズの多くのバランスド・ミキサー、I/Q ミキサーやイメージ除去ミキサー用の局部発振器(LO)ドライバとして機能することができます。
HMC8410CHIPS は内部で 50 Ω に整合した入出力も備えているため、表面実装技術(SMT)ベースの大容量マイクロ波無線のアプリケーションに最適です。
アプリケーション
- ソフトウェア無線
- 電子戦
- レーダー・アプリケーション
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC8410CHIPS | CHIPS OR DIE | ||
HMC8410CHIPS-SX | CHIPS OR DIE |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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2 19, 2021 - 20_0367 HMC8410/HMC8411 Data Sheet Revision |
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HMC8410CHIPS | 製造中 | |
HMC8410CHIPS-SX | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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