HMC8401-DIE
新規設計に推奨DC ~ 28 GHz、GaAs pHEMT MMIC 低ノイズ・アンプ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 1 dB 圧縮ポイント(P1dB)での出力電力: 16.5 dBm(代表値)
- 飽和出力電力(PSAT): 19 dBm(代表値)
- ゲイン: 14.5 dB(代表値)
- ノイズ指数: 1.5 dB
- 出力 3 次インターセプト(IP3): 26 dBm(代表値)
- 電源電圧: 7.5 HMC8401-DIE/60 mA
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 2.55 mm × 1.5 mm × 0.05 mm
HMC8401 は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)です。HMC8401 は広帯域の低ノイズ・アンプで、DC ~ 28 GHz で動作します。このアンプは、ゲインが 13.5 dB、ノイズ指数が2 dB、出力 IP3 が 26 dBm、1 dB ゲイン圧縮ポイントの出力電力が 16.5 dBm で、7 V 電源から 60 mA を必要とします。HMC8401 にはゲイン・コントロール・オプション VGG2 もあります。HMC8401 アンプの入出力は内部で 50 Ω に整合しているため、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。すべてのデータは、チップをわずか 0.31 mm(12 mil)の 0.025 mm(1 mil)ワイヤ・ボンド 2 本で接続して得られたものです。
アプリケーション
- 試験用計測器
- マイクロ波無線および超小型地球局(VSAT)
- 防衛および宇宙
- 通信インフラストラクチャ
- 光ファイバ
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC8401 | CHIPS OR DIE | ||
HMC8401-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 2
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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