HMC590-Die
製造中1 W パワー・アンプ・チップ、6 GHz ~ 10 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 飽和出力電力:
25 % の PAE で +31.5 dBm - 出力 IP3: +41 dBm
- ゲイン: 24 dB
- DC電源: +7 V/820 mA
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 2.47 mm x 1.33 mm x 0.1 mm
HMC590 は、広ダイナミック・レンジの GaAs PHEMT MMIC 1 W パワー・アンプで、動作範囲は 6 GHz ~ 10 GHz です。このアンプ・ダイは、+7.0 V 電源から 25 % の PAE で 24 dB のゲインと +31.5 dBm の飽和電力を提供します。マルチチップ・モジュール(MCM)に組み込みやすくするため、RF I/O は DC ブロックされており、50 Ω に整合しています。
全てのデータは、直径 0.025 mm(1 mil)、長さ 0.31 mm(12 mil)のワイヤ・ボンドを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。最適な OIP3 を必要とするアプリケーションでは、Idd を 520 mA に設定して +41 dBm の OIP3 を得ます。最適な出力 P1dB を必要とするアプリケーションでは、Idd を 820 mA に設定して最大 +32 dBm の出力 P1dB を得ます。
アプリケーション
- ポイント to ポイント無線
- ポイント to マルチポイント無線
- 試験装置およびセンサー
- 防衛用
- 宇宙
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
品質関連資料 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC590 | CHIPS OR DIE | ||
HMC590-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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