HMC415
新規設計に推奨InGaP HBT パワー・アンプ、SMT、4.9 GHz ~ 5.9 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- ゲイン: 20 dB
- Psat = +26 dBm で 34% の PAE
- Pout = +15 dBm で 3.7% の EVM
(54 Mbps の OFDM 信号) - 電源電圧: +3 V
- パワーダウン機能
- 少ない外付け部品数
HMC415LP3(E) は、高効率 GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した MMIC パワー・アンプで、動作範囲は 4.9 GHz ~ 5.9 GHz です。このアンプは、RF 性能と熱性能を改善するために、低価格のエクスポーズド・パッド付きリードレス表面実装パッケージを採用しています。外付け部品が最小限のこのアンプは、+3 V 電源電圧から 20 dB のゲイン、+26 dBm の飽和電力、34% の PAE を提供します。Vpd ピンを使って、フル・パワーダウンや RF 出力の電力/電流制御を行うことができます。+15 dBm の OFDM 出力電力(64 QAM、54 Mbps)に対して、HMC415LP3(E) は 3.7% のエラー・ベクトル振幅(EVM)を実現し、802.11a の直線性要件を満たします。
アプリケーション
- 802.11a WLAN
- HiperLAN WLAN
- アクセス・ポイント
- UNII および ISM 無線
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 2
品質関連資料 4
製品選択ガイド 1
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC415LP3E | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) | ||
HMC415LP3ETR | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
---|---|---|
4 19, 2022 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
||
HMC415LP3E | 製造中 | |
HMC415LP3ETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
ツールを開く