HMC414
新規設計に推奨InGaP HBT パワー・アンプ、SMT、2.2 GHz ~ 2.8 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- ゲイン: 20 dB
- 飽和電力: +30 dBm
- 32% の PAE
- 電源電圧: +2.75 V ~ +5 V
- パワーダウン機能
- 少ない外付け部品数
HMC407MS8G(E) は、高効率 GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した MMIC パワー・アンプで、動作範囲は 2.2 GHz ~ 2.8 GHz です。このアンプは、RF 性能と熱性能を改善するために、低価格のエクスポーズド・パッド付き 8 ピン表面実装パッケージを採用しています。外付け部品が最小限のこのアンプは、+5 V 電源電圧から 32% の PAE で 20 dB のゲインと +30 dBm の飽和電力を提供します。また、このアンプは 3.6 V の電源電圧でも動作します。Vpd ピンを使って、フル・パワーダウンや RF 出力の電力/電流制御を行うことができます。
アプリケーション
- BLUETOOTH
- MMDS
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
品質関連資料 4
テープ&リール仕様 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC414MS8GE | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
HMC414MS8GETR | 8-Lead MSOP w/ EP |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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5 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia |
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HMC414MS8GE | 製造中 | |
HMC414MS8GETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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