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Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
HMC408
新規設計に推奨1 W パワー・アンプ、SMT、5.1 GHz ~ 5.9 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
Viewing:
製品の詳細
- ゲイン: 20 dB
- 飽和電力:
27% の PAE で +32.5 dBm - 単電源電圧: +5 V
- パワーダウン機能
- 3 mm x 3 mm リードレス SMT パッケージ
HMC408LP3(E) は、5.1 GHz ~ 5.9 GHz の高効率 GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用したパワー・アンプ MMIC で、+30 dBm の P1dB を実現します。このアンプは、+5 V 電源電圧から 27% の PAE で 20 dB のゲインと +32.5 dBm の飽和電力を提供します。入力は内部で 50 Ω に整合しており、出力にはわずかな外付け部品しか必要としません。Vpd ピンを使って、フル・パワーダウンや RF 出力の電力/電流制御を行うことができます。このアンプは、RF 性能と熱性能を改善するために、低価格のエクスポーズド・パッド付き 3 mm x 3 mm リードレス表面実装パッケージを採用しています。
アプリケーション
- 802.11a および HiperLAN WLAN
- UNII およびポイントtoポイント/マルチポイント無線
- アクセス・ポイント無線
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
品質関連資料 4
製品選択ガイド 1
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC408LP3E | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) | ||
HMC408LP3ETR | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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4 19, 2022 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
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HMC408LP3E | 製造中 | |
HMC408LP3ETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。