HMC373
新規設計に推奨低ノイズ・アンプ、SMT、バイパス・モード付き、0.7 GHz ~ 1.0 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
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製品の詳細
- ノイズ指数: 0.9 dB
- 出力 IP3: +35 dBm
- ゲイン: 14 dB
- 低損失 LNA バイパス経路
- 単電源: +5 V/90 mA
- 50 Ω に整合した出力
HMC373LP3(E) は、高ダイナミック・レンジの汎用 GaAs MMIC 低ノイズ・アンプで、低損失の LNA バイパス・モードを搭載しています。このアンプは、700 MHz ~ 1000 MHz で動作する GSM および CDMA のセルラ基地局のフロントエンド・レシーバに最適で、+5 V/90 mA の単電源で、0.9 dB のノイズ指数、14 dB のゲイン、+35 dBm の IP3 を実現します。
RF 入力整合、RF グラウンド、DC バイアスを最適化するために必要な外付け部品がごくわずかなこの LNA の入力と出力のリターン・ロスはそれぞれ 28 dB と 12 dB です。1 本の制御ラインを短絡回路から開放回路にすることにより、LNA を 2 dB の低損失バイパス・モードに切り替えて、消費電流を 10 μA に低減することができます。ノイズ指数の改善が必要なアプリケーションについては、HMC668LP3(E) を参照してください。
アプリケーション
- GSM、GPRS および EDGE
- CDMA および W-CDMA
- 私設ランド・モバイル無線
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 2
製品選択ガイド 1
品質関連資料 4
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC373LP3E | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) | ||
HMC373LP3ETR | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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3 29, 2023 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
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HMC373LP3E | 製造中 | |
HMC373LP3ETR | 製造中 | |
8 28, 2019 - 19_0204 Moisture Sensitivity Level Rating Change for Select Packaged Products |
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HMC373LP3E | 製造中 | |
HMC373LP3ETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。