HMC356
新規設計に推奨低ノイズ・アンプ、SMT、350 MHz ~ 550 MHz
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- ノイズ指数: ≤1 dB
- 出力 IP3: +38 dBm
- ゲイン: 17 dB
- 電源と温度に対して非常に安定したゲイン
- 単電源: +5 V/104 mA
- 50 Ω に整合した出力
HMC356LP3(E) は、GaAs ベースの PHEMT MMIC を使用した高ダイナミック・レンジの低ノイズ・アンプで、350 MHz ~ 550 MHz で動作する GSM および CDMA セルラ基地局とモバイル無線のフロントエンド・レシーバに最適です。この LNA は、+5 V/104 mA の単電源で 1 dB のノイズ指数、17 dB のゲイン、+38 dBm の出力 IP3 を実現するように最適化されています。入力と出力のリターン・ロスは 15 dB(代表値)で、この LNA は、RF 入力整合、RF グラウンド、DC バイアスを最適化するために 4 個の外付け部品しか必要としません。
アプリケーション
- GSM 450 および GSM 480
- CDMA 450
- 私設ランド・モバイル無線
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
技術記事 1
製品選択ガイド 1
品質関連資料 4
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC356LP3 | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.9mm w/EP) | ||
HMC356LP3E | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.9mm w/EP) | ||
HMC356LP3ETR | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.9mm w/EP) | ||
HMC356LP3TR | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.9mm w/EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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3 29, 2023 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
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HMC356LP3E | 製造中 | |
HMC356LP3ETR | 製造中 | |
8 28, 2019 - 19_0204 Moisture Sensitivity Level Rating Change for Select Packaged Products |
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HMC356LP3E | 製造中 | |
HMC356LP3ETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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