HMC1126-Die
新規設計に推奨GaAs, pHEMT, MMIC, Power Amplifier, 2 GHz to 50 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$121.23
製品の詳細
- Output power for 1 dB compression (P1dB): 17.5 dB typical
- Saturated output power (PSAT): 21 dBm typical
- Gain: 11 dB typical
- Output third-order intercept (IP3): 28 dBm typical
- Supply voltage: 5 V at 65 mA
- 50 Ω matched input/output
- Die size: 2.3 mm × 1.45 mm × 0.05 mm
The HMC1126 is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transfer (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifier that operates from 2 GHz to 50 GHz. The HMC1126 provides 11 dB of gain, 28 dBm output IP3, and 17.5 dBm of output power at 1 dB gain compression, while requiring 65 mA from a 5 V supply.
The HMC1126 amplifier inputs/outputs are internally matched to 50 Ω facilitating integration into multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025 mm (1 mil) wire bonds of minimal length 0.31 mm (12 mils).
APPLICATIONS
ドキュメント
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC1126 | CHIPS OR DIE | ||
HMC1126-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
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