HMC-ALH376-DIE
新規設計に推奨低ノイズ・アンプ・チップ、35 GHz ~ 45 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- ノイズ指数: 2 dB
- ゲイン: 40 GHz で 16 dB
- P1dB 出力電力: +6 dBm
- 電源電圧: +4 V/87 mA
- ダイ・サイズ: 2.7 mm x 1.44 mm x 0.1 mm
HMC-ALH376 は 3 段構成の GaAs MMIC HEMT 自己バイアス低ノイズ・アンプ・ダイで、動作範囲は 35 GHz ~ 45 GHz です。このアンプは、16 dB のゲイン、2 dB のノイズ指数、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの +6 dBm の出力電力を実現しますが、+4V 単電源から 87 mA しか必要としません。この自己バイアス LNA はサイズが小さい(3.9 mm²)ため、ハイブリッド・アセンブリやマルチチップ・モジュール(MCM)に組み込むのに最適です。
アプリケーション
- ポイント to ポイント無線
- ポイント to マルチポイント無線
- 試験装置およびセンサー
- 防衛および宇宙
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
技術記事 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC-ALH376 | CHIPS OR DIE | ||
HMC-ALH376-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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