HMC-ALH102-DIE
新規設計に推奨
広帯域低ノイズ・アンプ・チップ、2~20GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- ノイズ指数:<2.5dB
- ゲイン:11.6dB @ 10GHz
- P1dB出力パワー:+10dBm
- 電源電圧:+2V @ 55mA
- ダイ・サイズ:3.0×1.435×0.1mm
HMC-ALH102は、2~20GHzで動作するGaAs MMIC HEMT低ノイズ分布型パワー・アンプ・ダイです。10GHzでのゲインは11.6dB、ノイズ指数は3.5dB未満、1dBゲイン圧縮時の出力電力は+10dBmで、+2V電源で必要な電流はわずか55mAです。小型のHMC-ALH102は、マルチチップ・モジュール(MCM)に組み込むために最適なアンプです。
アプリケーション
- 広帯域通信用レシーバ
- 監視システム
- ポイントtoポイント無線
- ポイントtoマルチポイント無線
- 防衛および宇宙
- 試験用計測
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
技術記事 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC-ALH102 | CHIPS OR DIE | ||
HMC-ALH102-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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