ADL9006
新規設計に推奨2GHz~28GHz、GaAs、pHEMT、MMIC低ノイズ・アンプ
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$121.97
製品の詳細
- P1dB:2GHz~6 GHzで20dBm(代表値)
- PSAT:2GHz~6GHzで20.5dB(代表値)
- ゲイン:6GHz~28GHzで15.5dB(代表値)
- ノイズ指数:2GHz~20GHzで2.5dB(代表値)
- OIP3:2GHz~6GHzで26dB(代表値)
- 電源電圧:5V/53mA
- 50Ωに整合した入出力
-
ADL9006CHIPS
- P1dB:2GHz~14GHzで19dBm(代表値)
- ゲイン:14GHz~22GHzで15.5dB(代表値)
- ノイズ指数:2GHz~14GHzで2.2dB
- 出力IP3:2GHz~14GHzで24dBm(代表値)
- 電源電圧:総電源電流55mAでの電圧5V
- 50Ωに整合した入出力
ADL9006は、ガリウムヒ素(GaAs)の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)で構成されたモノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の低ノイズ・アンプで、動作範囲は2GHz~28GHzです。このアンプは、15.5dBのゲイン、2.5dBのノイズ指数、26dBmの出力3次インターセプト・ポイント(OIP3)、1dB圧縮(P1dB)ポイントでの20dBmの出力電力を提供する一方、5V電源から必要とする電流は53mAです。ADL9006は、53mAの電源電流(IDD)を生成するのに必要な正の単電源だけで自己バイアスします。
ADL9006アンプの入出力は、内部で50Ωに整合されています。
ADL9006CHIPSADL9006CHIPSは、ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)のモノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)低ノイズ・アンプで、動作範囲は2GHz~28GHzです。アンプのゲインは15.5dB、ノイズ指数は2.2dB、出力3次インターセプト・ポイント(IP3)は24dBm、出力飽和電力(PSAT)は20dBm、1dB圧縮での(P1dB)電力出力は19dBとなります。また、総電源電圧5Vで55mAの供給電流(IDD)が必要です。ADL9006CHIPSは、55mAのIDD生成に必要となる正の単電源だけで自己バイアスします。
このアンプの入出力は内部で50Ωに整合しているため、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。
アプリケーション
- 試験用計測器
- 防衛および宇宙
- 局部発振器ドライバ・アンプ
- 試験用計測器
- マイクロ波無線および超小型地球局(VSAT)
- 防衛および宇宙
ADL9006CHIPS
ドキュメント
データシート 3
ユーザ・ガイド 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADL9006ACGZN | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) | ||
ADL9006ACGZN-R7 | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) | ||
ADL9006C-KIT | CHIPS OR DIE | ||
ADL9006CHIPS | CHIPS OR DIE |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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3 19, 2021 - 20_0308 Epoxy Change at ASE Chungli Branch for PM5E and ACGZN Packages |
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ADL9006ACGZN | 製造中 | |
ADL9006ACGZN-R7 | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。