ADL8142S
新規設計に推奨GaAs、pHEMT、MMIC、低ノイズ・アンプ、23GHz~31GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$83.77
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製品の詳細
- 低ノイズ指数:27GHz~31GHzで1.6dB(代表値)
- 正側(供給)単電源(自己バイアス)
- 高ゲイン:27GHz~31GHzで27dB(代表値)
- 高OIP3:27GHz~31GHzで21.5dBm(代表値)
- RoHS準拠、2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージ
商用宇宙製品向けの機能
- ウェーハ拡散ロット・トレーサビリティ
- 放射線ロット受け入れ試験(RLAT)
- トータル・ドーズ効果(TID)
- 放射線ベンチマーク
- シングル・イベント・ラッチアップ(SEL)
ADL8142S-CSLは、ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は23GHz~31GHzです。ADL8142S-CSLは、27GHz~31GHzの範囲で27dBのゲイン、1.6dBのノイズ指数、21.5dBmの出力3次インターセプト(OIP3)(それぞれ代表値)を備え、2V電源電圧から必要とする電流はわずか25mAです。OIP3はドレイン電流を増加することで更に改善できます。ADL8142S-CSLは、ACカップリングされ、内部で50Ωに整合した入出力も備えているため、大容量のマイクロ波無線アプリケーションに最適です。
ADL8142S-CSLは、RoHS準拠の2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージに収められています。アプリケーションと技術情報の詳細については、商用宇宙製品プログラムのパンフレット、およびADL8142のデータシートを参照してください。
アプリケーション
ドキュメント
高レベル放射線レポート 1
シングルイベント効果の放射線レポート 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADL8142ACPZN-CSL | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 | ||
ADL8142ACPZN-R7-CSL | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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1 19, 2024 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products |
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ADL8142ACPZN-CSL | 製造中 | |
ADL8142ACPZN-R7-CSL | 製造中 | |
9 21, 2022 - 22_0217 Moisture Sensitivity Level Rating Change for ADL8142 |
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ADL8142ACPZN-CSL | 製造中 | |
ADL8142ACPZN-R7-CSL | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。