LTC7891
新規設計に推奨
100V、低IQのGaN FET用同期整流式降圧コントローラ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$2.09
製品の詳細
- GaN FET向けに全面的に最適化されたGaN駆動テクノロジ
- 広いVIN範囲:4V~100V
- 広い出力電圧範囲:0.8V ≤ VOUT ≤ 60V
- キャッチ/クランプ/ブートストラップ・ダイオード不要
- 内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、ハイサイド・ドライバ用電源の過充電を防止
- ほぼゼロになるよう内部で最適化されたスマート・デッド・タイム、または抵抗により調整可能なデッド・タイム
- ゲート・ドライバの分割出力により、ドライバ強度設定のオン/オフが調整可能
- 調整可能で正確なドライバ電圧とUVLO
- 動作時の低IQ:5μA(48VIN~5VOUT)
- プログラマブルな周波数(100kHz~3MHz)
- フェーズロック可能な周波数(100kHz~3MHz)
- 周波数スペクトラム拡散変調
- 28ピン(4mm × 5mm)サイド・ウェッタブルQFNパッケージ
高性能の降圧DC/DCスイッチング・レギュレータ・コントローラLTC7891は、あらゆるNチャンネル同期窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のパワー段を入力電圧から最大100Vまで駆動します。LTC7891により、GaN FET使用時に発生していた従来の課題の多くが解決されます。LTC7891を使用すると、シリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)ソリューションと比べてアプリケーション設計が簡素化すると同時に、保護ダイオードやその他の外付け部品の追加が不要になります。
内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、デッド・タイム中にBOOSTピンからSWピンへのハイサイド・ドライバ電源への過充電を防止して、上側GaN FETのゲートを保護できます。LTC7891では、両方のスイッチング・エッジでゲート・ドライバのタイミングを内部で最適化しており、ほぼゼロのスマート・デッド・タイムを実現しています。そのため、効率が大幅に向上し、入力電圧が大きい場合でも高周波数動作が可能になります。または、外部抵抗を使用してデッド・タイムを調整し、マージンを確保したり、アプリケーションに適合させたりすることもできます。
性能の最適化や、様々なGaN FETまたはロジック・レベルのMOSFETの使用にあたって、LTC7891のゲート駆動電圧は4V~5.5Vの間で正確に調節できます。
このデータシートでは、PLLIN/SPREADというように多機能ピンについてはピン名全体を表記しますが、特定の機能のみが該当するような説明箇所では、PLLINというように1つのピン機能だけを表記しています。
アプリケーション
- 産業用電源システム
- 防衛アビオニクスおよび医療システム
- 電気通信用電源システム
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 3
ビデオ 4
ソリューション・カタログ 1
Analog Dialogue 1
珍問/難問集 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
LTC7891RUFDM#PBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7891RUFDM#TRPBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
LTspice 2
- LTC7891 Example Circuit – 100V GaN Synchronous Buck Controller with EPC FETs, Input: 15V – 72V, Output: 12V @ 20A, 500kHz Fsw
- LTC7891 - Step-Down (Buck) Regulators
下記製品はLTspiceで使用することが出来ます。:
- LTC7891
LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。