HMC8205
新規設計に推奨パワー・アンプ、GaN、0.3 ～ 6 GHz、35 W
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 高 PSAT: 46 dBm
- 高パワー・ゲイン: 20 dB
- 高 PAE: 38%
- 瞬時帯域幅: 0.3 GHz ～ 6 GHz
- 電源電圧: VDD = 50 V @ 1300 mA
- 10 ピン LDCC パッケージ
- 高出力電力：PIN = 24 dBmで45.5dBm（代表値）
- 高パワー・ゲイン：PIN = 24 dBmで22dB（代表値）
- 高いPAE： PIN = 28 dBmで40%（代表値）
- ダイ・サイズ：4.8 mm × 3.4 mm × 0.1 mm
HMC8205BF10 は、0.3 GHz ～ 6 GHz の瞬時帯域幅において 38 % の電力付加効率（PAE）で 45.5 dBm（35 W）を実現する、窒化ガリウム（GaN）広帯域パワー・アンプです。フル・バンド動作の実現に外部マッチングは必要ありません。また、アンプにバイアスをかけるために外部インダクタは必要ありません。さらに、HMC8205BF10 には、RFIN および RFOUT ピン用の DC 阻止コンデンサが内蔵されています。
HMC8205BF10 は、防衛用電波妨害装置、ワイヤレス・インフラストラクチャ、レーダー、汎用アンプなどのパルス波または連続波（CW）アプリケーションに最適です。
HMC8205BF10 アンプは 10 ピン・セラミック・リード・チップ・キャリア（LDCC）を採用しています。
HMC8205BCHIPSは、窒化ガリウム（GaN）の広帯域幅パワー・アンプで、0.4GHz～6GHzの瞬時帯域幅にわたり、40%の電力付加効率（PAE）で45.5dBm（35W）を出力します。動作帯域全体で、外部マッチングは不要です。アンプをバイアスする外部インダクタも不要です。さらに、HMC8205BCHIPSには、RFINピンとRFOUTピン用のDC阻止コンデンサが内蔵されています。
HMC8205BCHIPSは、防衛用電波妨害装置、ワイヤレス・インフラストラクチャ、レーダー、汎用アンプなど、パルス波や連続波（CW）のアプリケーションに最適です。
アプリケーション
- 防衛用電波妨害装置
- 民生用および防衛用レーダー
- ワイヤレス・インフラストラクチャのパワー・アンプ段
- 試験装置および計測装置
ドキュメント
データシート 3
アプリケーション・ノート 1
ビデオ 1
製品選択ガイド 1
Analog Dialogue 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| HMC8205BCHIPS | CHIPS OR DIE | ||
| HMC8205BF10 | 10 ld LDCC (11.43x17.32mm) | ||
| HMC8205BF10-50 | 10 ld LDCC (11.43x17.32mm) |
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
|---|---|---|
|
12 12, 2017 - 17_0199 Change in First Level Packaging for HMC1086F10, HMC1087F10, HMC8205BF10. |
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| HMC8205BF10 | 製造中 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 2
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
ツールを開く評価用キット
HMC8205 Evaluation Board