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HMC5805A

新規設計に推奨

GaAs pHEMT MMIC 0.25 W パワー・アンプ、DC ～ 40 GHz

データシート製品セレクション・テーブル

製品モデル: 2
1Ku当たりの価格: 価格は未定

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製品の詳細

高 P1dB 出力電力: 24.5 dBm
高 Psat 出力電力: 27 dBm
ゲイン: 11.5 dB
出力 IP3: 29 dBm
電源電圧: +10 V/175 mA
16 ピン・セラミック 6 mm x 6 mm SMT パッケージ: 36 mm²

製品モデル: 2
1Ku当たりの価格: 価格は未定

ドキュメント

データシート 1

HMC5805ALS6: GaAs pHEMT MMIC 0.25 Watt Power Amplifier, DC - 40 GHz Data Sheet 01/22/2016

アプリケーション・ノート 3

AN-2061: 0402 SMD 部品を使った広帯域バイアス・ティーの設計 11/30/2020

AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 08/01/2019

AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers 05/13/2020

アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。

製品モデル	ピン／パッケージ図	資料	CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
HMC5805ALS6	16-Lead LCC (6mm x 6mm x 1.32mm w/EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC5805ALS6TR	16-Lead LCC (6mm x 6mm x 1.32mm w/EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

これは最新改訂バージョンのデータシートです。

ハードウェア・エコシステム

製品モデル	製品ライフサイクル	詳細
HMC930A-DIE		GaAs pHEMT MMIC 0.25 W パワー・アンプ、DC ～ 40 GHz

ツールおよびシミュレーション

キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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Sパラメータ 1

HMC5805ALS6 S-Parameters

ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

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