HMC5805A

推荐新设计使用

GaAs pHEMT MMIC 0.25 W功率放大器，DC - 40 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

高P1dB输出功率：+22 dBm
高Psat输出功率：+24 dBm
高增益：13.5 dB
高输出IP3：+33 dBm
电源电压：+10V（175 mA时）
16引脚6x6 mm SMT陶瓷封装：36 mm²

参考资料

数据手册 1

HMC5805ALS6: GaAs pHEMT MMIC 0.25 Watt Power Amplifier, DC - 40 GHz Data Sheet 01/22/2016

应用笔记 3

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-2061: Wideband Bias Tee Design Using 0402, SMD Components 11/30/2020

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC5805ALS6	16-Lead LCC (6mm x 6mm x 1.32mm w/EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC5805ALS6TR	16-Lead LCC (6mm x 6mm x 1.32mm w/EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

这是最新版本的数据手册

硬件生态系统

部分模型	产品周期	描述
HMC930A-DIE		GaAs、pHEMT、MMIC、0.25 W功率放大器，DC - 40 GHz

工具及仿真模型

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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