HMC1132LP5DE

过期

1 W、GaAs pHEMT MMIC功率放大器，27 GHz至32 GHz

数据手册 (Rev. 0) 产品选型表

产品模型: 1

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产品详情

饱和输出功率(PSAT)： 30.5 dBm（功率附加效率(PAE)为22%时）
高输出IP₃: 35 dBm
高增益： 22 dB
直流电源： 6 V (600 mA)
无需外部匹配
32引脚、5 mm x 5 mm LFCSP_LQ封装

产品模型: 1

参考资料

数据手册 1

HMC1132: 1 Watt, GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier, 27 GHz to 32 GHz Data Sheet (Rev.0) 02/03/2016

应用笔记 3

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC1132LP5DETR	32-Lead LFCSP_CAV (5mm x 5mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

10月 30, 2018 - 18_0034 Discontinuance of Model Numbers: HMC1132LP5DE, HMC943ALP5DE, HMC1114LP5DE, HMC8500LP5DE and HMC1099LP5DE
		PDN18_0034_Form Material_Report
HMC1132LP5DETR	过期	PDN18_0034_Form Material_Report

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硬件生态系统

部分模型	产品周期	描述
HMC1132PM5E		27 GHz 至 32 GHz，GaAs，pHEMT，MMIC 功率放大器

工具及仿真模型

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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