HMC1132LP5DE

过期

1 W、GaAs pHEMT MMIC功率放大器，27 GHz至32 GHz

数据手册 (Rev. 0) 产品选型表

产品模型: 1

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产品详情

饱和输出功率(PSAT)： 30.5 dBm（功率附加效率(PAE)为22%时）
高输出IP₃: 35 dBm
高增益： 22 dB
直流电源： 6 V (600 mA)
无需外部匹配
32引脚、5 mm x 5 mm LFCSP_LQ封装

参考资料

数据手册 1

HMC1132: 1 Watt, GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier, 27 GHz to 32 GHz Data Sheet (Rev.0) 02/03/2016

应用笔记 2

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC1132LP5DETR	32-Lead LFCSP_CAV (5mm x 5mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

10月 30, 2018 - 18_0034 Discontinuance of Model Numbers: HMC1132LP5DE, HMC943ALP5DE, HMC1114LP5DE, HMC8500LP5DE and HMC1099LP5DE
		PDN18_0034_Form Material_Report
HMC1132LP5DETR	过期	PDN18_0034_Form Material_Report

这是最新版本的数据手册

硬件生态系统

部分模型	产品周期	描述
HMC1132PM5E		27 GHz 至 32 GHz，GaAs，pHEMT，MMIC 功率放大器

工具及仿真模型

S-参数 1

HMC1132LP5DE S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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