MAX11008
新規設計に推奨不揮発性メモリ内蔵、デュアルRF LDMOSバイアスコントローラ
省電力、高集積、コスト削減
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格：$8.47
製品の詳細
- LDMOSバイアス特性を保存するための4Kb EEPROM内蔵
- 利得が2、10、または25のハイサイド電流検出PGA内蔵
- 検出電圧範囲(+75mV～+1250mV)の精度：±0.75%
- フルスケール検出電圧
- +100mV：利得25
- +250mV：利得10
- +1250mV：利得2
- コモンモード範囲、LDMOSドレイン電圧：+5V～+32V
- 可変、低ノイズ、出力ゲートバイアス電圧範囲：0～AVDD
- AGNDへの高速クランプによるLDMOS保護
- 温度によるゲートの12ビットDAC制御
- 内部ダイ温度測定
- リモートダイオードによる2チャネル外部温度測定
- 内部12ビットADC測定による温度、電流、および電圧の監視
- ユーザ選択可能なシリアルインタフェース
- 400kHz/1.7MHz/3.4MHz I²C対応インタフェース
- 16MHz SPI/MICROWIRE対応インタフェース
MAX11008は、携帯基地局およびその他の無線インフラ機器で使用されるRF LDMOSパワーデバイス用のバイアスコントローラです。各コントローラは、2、10、および25の利得を設定可能なハイサイド電流検出アンプを備え、20mA～5Aの範囲のLDMOSドレイン電流を監視します。MAX11008は、最大2つの外部ダイオード接続トランジスタをサポートし、内部温度センサでローカルのダイ温度を測定しながら、LDMOSの温度を監視します。12ビットの逐次比較型(SAR)アナログ-ディジタルコンバータ(ADC)は、プログラマブルゲインアンプ(PGA)、外部温度センサ、内部温度測定、および2つの追加補助入力からのアナログ信号を変換します。MAX11008は、温度、AIN、および/またはドレイン電流サンプルをルックアップテーブル(LUT)に保存されたデータに適用することによって、LDMOSバイアス電圧を自動調整します。
MAX11008は、2つのゲートドライブチャネルを備え、各チャネルはLDMOSデバイスをバイアスする正ゲート電圧を生成する12ビットDACで構成されています。各ゲートドライブ出力は、最大±2mAのゲート電流を供給します。ゲートドライブアンプは、±25mAに電流制限され、AGNDへの高速クランプを特長としています。
MAX11008は、LUTおよびレジスタ情報を保存するための、256ビット x 16ビットとして構成された、4Kbの不揮発性EEPROMを内蔵しています。このデバイスは、4線式16MHz SPI™/MICROWIRE™対応、またはI²C対応のシリアルインタフェースのいずれでも動作します。
MAX11008は、電源電流が2mA (typ)の+4.75V～+5.25Vアナログ電源、および電源電流が3mA (typ)の+2.7V～+5.25Vディジタル電源で動作します。このデバイスは、7mm x 7mmの48ピンTQFNパッケージで提供され、-40℃～+85℃の拡張温度範囲で動作します。
アプリケーション
- セルラ基地局
- フィードフォワードパワーアンプ
- 産業用プロセス制御
- マイクロ波無線リンク
- トランスミッタ
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| MAX11008BETM+ | Thin Quad Flatpack, No Leads | ||
| MAX11008BETM+T | Thin Quad Flatpack, No Leads |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
評価用キット
MAX11008の評価キット/評価システム
MAX11008の評価キット/評価システム
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