Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
HMC8325
新規設計に推奨71 GHz ～ 86 GHz、E バンド低ノイズ・アンプ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- ゲイン: 21 dB（代表値）
- ノイズ指数: 3.6 dB（代表値）
- 1 dB 圧縮ポイントでの出力電力: 13 dBm（代表値）
- 最大ゲインでの入力 3 次インターセプト: 1 dBm（代表値）
- 最大ゲインでの出力 3 次インターセプト: 22 dBm（代表値）
- .飽和出力電力: 17 dBm（代表値）
- 入力リターン・ロス: 15 dB（代表値）
- 出力リターン・ロス: 17 dB（代表値）
- ダイ・サイズ: 2.844 mm × 0.999 mm × 0.05 mm
HMC8325 は、内蔵型の E バンド・ガリウム・ヒ素（GaAs）、モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の低ノイズ・アンプ（LNA）チップで、71 GHz ～ 86 GHz で動作します。HMC8325 は、ゲインが 21 dB、出力 P1dB が 13 dBm、OIP3 が 22 dBm、PSAT が 17 dBm ですが、3 V 電源からわずか 50 mA しか必要としません。HMC8325 は優れた直線性を示し、E バンド通信および大容量のワイヤレス・バックホール無線システム向けに最適化されています。すべてのデータは、幅 3 mil × 厚さ 0.5 mil × 長さ 7 mil のリボンを各ポートに使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。
アプリケーション
- E バンド通信システム
- 大容量ワイヤレス・バックホール
- 試験および計測
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 2
技術記事 1
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| HMC8325 | CHIPS OR DIE | ||
| HMC8325-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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