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Analog Devices' RF and microwave components are now also available as X-MWblock® drop-in evaluation modules from X-Microwave.
Get the X-MWblock® drop-in module for this part.HMC815B
新規設計に推奨21 GHz ~ 27 GHz、GaAs MMIC I/Q アップコンバータ
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 変換ゲイン: 12 dB(代表値)
- サイドバンド除去比: 20 dBc(代表値)
- OP1dB 圧縮ポイント: 20 dBm(代表値)
- OIP3: 27 dBm(代表値)
- 2× LO/RF アイソレーション: 10 dB(代表値)
- 2× LO/IF アイソレーション: 15 dB(代表値)
- RF リターン・ロス: 12 dB(代表値)
- LO リターン・ロス: 15 dB(代表値)
- IF リターン・ロス: 15 dB(代表値)
- 露出パッド、4.90 mm × 4.90 mm、32 端子、セラミック LCC
HMC815B は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)のコンパクトな RoHS 準拠パッケージ採用アップコンバータで、21 GHz ~ 27 GHz で動作します。 12 dB の小信号変換ゲイン、20 dBc のサイドバンド除去比を実現します。 HMC815B は、アクティブな 2× 逓倍器でLO駆動する同相/直交(I/Q)ミキサーを前段に接続したドライバ・アンプを使用しています。 IF1 ミキサー入力と IF2 ミキサー入力があり、必要な側波帯を選択するのに外部 90 ° ハイブリッドが必要です。 この I/Q ミキサー・トポロジーにより、不要な側波帯のフィルタリングの必要性が減少します。
HMC815B は、ハイブリッド型単側波帯(SSB)ダウンコンバータ・アセンブリに代わる、より小型のデバイスです。また、表面実装製造技術を使用できるので、ワイヤ・ボンディングが不要です。
HMC815B は、4.90 mm × 4.90 mm の 32 端子セラミック(LCC)パッケージ構造。−40°C ~ +85°C の温度範囲で動作します。 HMC815B 用の評価用ボードもリクエストに応じて提供されます。
アプリケーション
- ポイント to ポイントおよびポイント to マルチポイント無線
- 防衛用レーダー、電子戦および電子諜報
- 衛星通信
- 各種センサー
ドキュメント
データシート 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC815BLC5 | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) | ||
HMC815BLC5TR | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) | ||
HMC815BLC5TR-R5 | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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