HMC7543
新規設計に推奨パワー・ディテクタ付き E バンド・パワー・アンプ、71 GHz ~ 76 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- ゲイン: 21.5 dB(代表値)
- 1 dB 圧縮ポイント(P1dB)の出力電力: 25 dBm(代表値)
- 飽和出力電力(PSAT): 26.5 dBm(代表値)
- 出力 3 次インターセプト・ポイント(OIP3): 30 dBm(代表値)
- 入力リターン損失: 12 dB(代表値)
- 出力リターン損失: 12 dB(代表値)
- DC電源: 4 V/450 mA
- 外部マッチング不要
- ダイ・サイズ: 3.599 mm x 1.999 mm x 0.05 mm
HMC7543 は、統合型 E バンド・ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型HEMT(pHEMT)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の中出力パワー・アンプで、温度補償されたパワー・ディテクタを内蔵し、動作範囲は 71 GHz ~ 76 GHz です。HMC7543 は、4 V 電源電圧から 20 % の電力付加効率(PAE)で 21.5 dB のゲイン、1 dB 圧縮ポイントでの 25 dBm の出力電力、26.5 dBm の飽和出力電力を提供します。HMC7543 は直線性が優れており、E バンド通信および大容量のワイヤレス・バックホール無線システム用に最適化されています。アンプの構成と高ゲインにより、このデバイスはアンテナの前の最終段の信号増幅に最適です。全てのデータは、各ポートに幅 3 mil、厚さ 0.5 mil、長さ 7 mil のリボンを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。
アプリケーション
- E バンド通信システム
- 大容量ワイヤレス・バックホール無線システム
- 試験および計測
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
技術記事 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC7543 | CHIPS OR DIE | ||
HMC7543-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
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ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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