
Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
HMC637ALP5E
製造中GaAs pHEMT MMIC 1 W パワー・アンプ、0.1 GHz ~ 6 GHz
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- P1dB 出力電力: +29 dBm
- ゲイン: 13 dB
- 出力 IP3: +44 dBm
- 50 Ω に整合した入出力
- 32 ピン 5 mm x 5 mm LFCSPパッケージ: 25 mm2
- 同一工場で一貫製造
- 製品変更通知
- HMC637ASCPZ-EPデータシート(pdf)をダウンロード可能
- ミリタリ温度範囲: −55°C~+105°C
- 管理された製造ベースライン
- 組み立て/テストは同一工場
- 品質データは要求に応じて入手可能
- DSCC図面番号:V62/19618
HMC637ALP5Eは、ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の擬似格子整合高電子移動度トランジスタ(pHEMT)で構成された分布型パワー・アンプで、0.1GHz~6GHzの範囲で動作します。このアンプは、13dBのゲイン、44dBmの出力3次インターセプト・ポイント(IP3)、1dBゲイン圧縮ポイントでの29dBmの出力電力を提供し、12V電源から400mAの電流を必要とします。HMC637ALP5Eは100MHz~6GHzのゲイン平坦性が±0.75dBであり、電子戦(EW)、電子対抗手段(ECM)、レーダー、試験装置などのアプリケーションに最適です。HMC637ALP5Eアンプの無線周波数(RF)I/Oは、内部で50Ωに整合し、5mm × 5mmのリード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ(LFCSP)は大容量表面実装技術(SMT)アセンブリ機器と互換です。
アプリケーション
- テレコム・インフラストラクチャ
- マイクロ波無線および VSAT
- 超小型地上局(VSAT)
- 防衛および宇宙
- 試験用計測器
- 光ファイバ
ドキュメント
データシート 4
アプリケーション・ノート 4
品質関連資料 2
テープ&リール仕様 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC637ALP5E | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | ||
HMC637ALP5ETR | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | ||
HMC637ASCPZ-EP-PT | 32-lead LFCSP (5mm x 5mm) | ||
HMC637ASCPZ-EP-R7 | 32-lead LFCSP (5mm x 5mm) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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