HMC455
新規設計に推奨1/2 W 高 IP3 アンプ、SMT、1.7 GHz ~ 2.5 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 出力 IP3: +42 dBm
- ゲイン: 13 dB
- +28 dBm の Pout で 56% の PAE
- -45 dBc の ACPR で +19 dBm の W-CDMA チャンネル電力
- 3 mm x 3 mm QFN SMT パッケージ
HMC455LP3(E) は、高出力 IP3 の GaAs InGaP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用した 1⁄2 W MMIC アンプで、動作範囲は 1.7 GHz ~ 2.5 GHz です。使用する外付け部品数が最小限のこのアンプは、単一の +5 V DC 電源電圧から 56% の PAE で 13 dB のゲインと +28 dBm の飽和電力を確保します。+42 dBm の高出力 IP3 と 1.4:1 の低 VSWR を組み合わせた HMC455LP3(E) は、PCS/3G ワイヤレス・インフラストラクチャに最適なドライバ・アンプです。このリニア・アンプは、低価格のリードレス 3 mm x 3 mm QFN 表面実装パッケージ(LP3)を採用しています。LP3 は、優れた RF 性能と熱性能を実現するエクスポーズド・パッドを備えています。
アプリケーション
- マルチキャリア・システム
- GSM、GPRS および EDGE
- CDMA および WCDMA
- PHS
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
品質関連資料 3
テープ&リール仕様 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC455LP3E | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) | ||
HMC455LP3ETR | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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3 29, 2023 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
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HMC455LP3E | 製造中 | |
HMC455LP3ETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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