HMC1132PM5E
製造中27 GHz ~ 32 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC パワー・アンプ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- PSAT: 29.5 dBm
- 高出力 IP3: 37 dBm
- 高ゲイン: 29 GHz ~ 32 GHz で 24 dB(代表値)
- DC 電源: 5 V/600 mA
- 50 Ω に整合した入出力
- 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP パッケージ: 25 mm2
HMC1132PM5E は、4 段構成のガリウム・ヒ素(GaAs)、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)パワー・アンプです。このデバイスは、27 GHz ~ 32 GHz で動作し、5 V 電源から 24 dB のゲインと 29.5 dBm の飽和出力電力を提供します。
HMC1132PM5E は優れた直線性を示し、高出力 3 次インターセプト(IP3)が 37 dBm であり、大容量のポイント to ポイントおよびポイント to マルチポイント無線システム向けに最適化されています。アンプの構成と高ゲインにより、HMC1132PM5E はアンテナの前の最終段の信号増幅に最適です。
HMC1132PM5E アンプの入出力(I/O)は内部で 50 Ω に整合しています。このデバイスは、RoHS 準拠のプリモールド・キャビティ、5 mm × 5 mm LFCSP パッケージに収容されているため、大容量、表面実装技術(SMT)アセンブリ装置と互換性があります。
アプリケーション
- ポイント to ポイント無線
- ポイント to マルチポイント間無線
- 超小型地上局(VSAT)および衛星通信(SATCOM)
- 防衛および宇宙
ドキュメント
データシート 2
アプリケーション・ノート 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC1132PM5E | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) | ||
HMC1132PM5ETR | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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3 19, 2021 - 20_0308 Epoxy Change at ASE Chungli Branch for PM5E and ACGZN Packages |
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HMC1132PM5E | 製造中 | |
HMC1132PM5ETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
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ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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