HMC-C026
新規設計に推奨広帯域高ゲイン・パワー・アンプ・モジュール、2 GHz ~ 20 GHz
- 製品モデル
- 1
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
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製品の詳細
- ゲイン: 8 GHz で 30 dB
- P1dB 出力電力: 8 GHz で +26 dBm
- ノイズ指数: 8 GHz で 2.5 dB
- スプリアスフリー動作
- 安定した電源とバイアス・シーケンス制御
- ハーメチック・シール・モジュール
- フィールド交換可能 SMA コネクタ
- 動作温度範囲: -55 ℃ ~ +85 ℃
HMC-C026 は GaAs MMIC PHEMT ベースの分布型パワー・アンプで、交換可能な SMA コネクタ付きの小型ハーメチック・モジュールに収められており、2 GHz ~ 20 GHz で動作します。このアンプは、30 dB のゲイン、2.5 dB のノイズ指数、+30 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの最大 +26 dBm の出力電力を提供します。
HMC-C026 は、広帯域アンプの I/O が内部で 50 Ω に整合され、DC ブロックされているため、EW、ECM レーダー、試験装置などのアプリケーションに最適です。内蔵の電圧レギュレータにより、負と正の両方の電源ピンを柔軟にバイアスすることができ、内部バイアス・シーケンス制御回路により、信頼性の高い動作が保証されます。
代表的なアプリケーション- テレコム・インフラストラクチャ
- マイクロ波無線および VSAT
- 防衛および宇宙
- 試験用計測器
- 光ファイバ
ドキュメント
データシート 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC-C026 | Connectorized Hermetic Module (C3B) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。